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GA1206Y122KXBBT31G 发布时间 时间:2025/6/3 15:20:59 查看 阅读:7

GA1206Y122KXBBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高效率和卓越的热性能。
  此芯片适用于需要高电流处理能力和快速开关速度的应用场景,能够显著提高系统的整体效率并降低功耗。

参数

型号:GA1206Y122KXBBT31G
  类型:N沟道 MOSFET
  封装:TO-247-3
  最大漏源电压(Vds):1200V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):60A
  导通电阻(Rds(on)):150mΩ
  功耗(Ptot):360W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206Y122KXBBT31G 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少传导损耗。
  2. 快速开关速度,有助于提高系统的工作频率和效率。
  3. 高耐压能力(Vds = 1200V),适合高压应用场景。
  4. 强大的电流承载能力(Id = 60A),确保在高负载条件下稳定运行。
  5. 优秀的热性能,支持高功率密度设计。
  6. 宽泛的工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),适应各种恶劣环境条件。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 工业电机驱动和控制。
  3. 新能源领域,如太阳能逆变器和风力发电设备。
  4. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电力电子系统。
  5. 大功率 LED 照明驱动电路。
  6. 高压负载切换和保护电路。

替代型号

IRGB50B12DPBF
  CSD19537Q5A
  FCH28N120D
  STW81N120H5

GA1206Y122KXBBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-