GA1206Y122KXBBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高效率和卓越的热性能。
此芯片适用于需要高电流处理能力和快速开关速度的应用场景,能够显著提高系统的整体效率并降低功耗。
型号:GA1206Y122KXBBT31G
类型:N沟道 MOSFET
封装:TO-247-3
最大漏源电压(Vds):1200V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):60A
导通电阻(Rds(on)):150mΩ
功耗(Ptot):360W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
GA1206Y122KXBBT31G 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少传导损耗。
2. 快速开关速度,有助于提高系统的工作频率和效率。
3. 高耐压能力(Vds = 1200V),适合高压应用场景。
4. 强大的电流承载能力(Id = 60A),确保在高负载条件下稳定运行。
5. 优秀的热性能,支持高功率密度设计。
6. 宽泛的工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),适应各种恶劣环境条件。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机驱动和控制。
3. 新能源领域,如太阳能逆变器和风力发电设备。
4. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电力电子系统。
5. 大功率 LED 照明驱动电路。
6. 高压负载切换和保护电路。
IRGB50B12DPBF
CSD19537Q5A
FCH28N120D
STW81N120H5