时间：2025/9/14 22:32:02
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BUK9Y1R9-40HX 是由 NXP（恩智浦）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源转换和功率管理应用而设计，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制以及负载开关等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：40V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：160A（@25℃）
导通电阻 Rds(on)：1.9mΩ（@Vgs=10V）
功率耗散 Pd：200W
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装形式：PowerSO-10
BUK9Y1R9-40HX 的最大特点之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在大电流工作时能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，确保了在高温环境下仍能稳定运行。
此外，该MOSFET具备高耐压能力，Vds达到40V，使其适用于多种中低压功率转换应用。其栅极设计支持快速开关，有助于减少开关损耗并提高系统响应速度。
封装方面，采用的是PowerSO-10表面贴装封装，具备良好的热管理能力，便于散热并适用于高密度PCB布局。该封装形式也提高了器件的可靠性和长期稳定性，适合在恶劣环境中使用。
这款MOSFET还具有良好的抗雪崩能力和过热保护性能，确保在突发负载或短路情况下仍能维持安全运行。
BUK9Y1R9-40HX 广泛应用于多种电源管理及功率控制领域。典型应用包括：高效同步整流的DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动电路、负载开关、服务器电源、汽车电子系统（如车载充电器、电动助力转向系统）等。
由于其优异的导通性能和高可靠性，该器件特别适合用于需要高效率和紧凑设计的现代电源系统中。例如，在服务器和通信设备的电源模块中，BUK9Y1R9-40HX 可作为主开关或同步整流器，显著提升整体能效；在电动工具和电动汽车的控制系统中，它可用于高效驱动大功率负载。
此外，其高电流能力和良好的热性能也使其适用于工业自动化、智能电表、UPS（不间断电源）等对稳定性要求极高的场合。
Si7461DP-T1-GE3, IPD90N03S4-03, BSC090N03LS
