时间：2025/6/12 18:21:18
阅读：5
GA1206A822KXABR31G 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电路和信号调节等领域。该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提升系统效率。
该芯片采用了先进的封装技术，适合在高温环境下工作，并且具有良好的电气性能和稳定性。由于其出色的性能表现，这款 MOSFET 在工业控制、消费电子及通信设备中均有广泛应用。
型号：GA1206A822KXABR31G
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源极击穿电压(Vds)：60V
栅源极击穿电压(Vgs)：±20V
持续漏电流(Id)：8.2A
导通电阻(Rds(on))：2.2mΩ (典型值，Vgs=10V)
总功耗(Ptot)：75W
结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263(D2PAK)
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著减少导通损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关速度，适用于高频开关应用。
3. 高漏源极击穿电压（Vds），确保在高压环境下稳定运行。
4. 支持大电流操作，满足高功率应用场景需求。
5. 宽广的工作温度范围，适应各种恶劣环境。
6. 采用 D2PAK 封装形式，散热性能优越，便于安装与维护。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. DC/DC 转换器中的同步整流功能。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 电池保护及负载切换电路。
5. 各类工业控制设备中的信号调节与功率传输。
6. 消费电子产品中的电源管理和高效能转换模块。
GA1206A822KXABR21G
IRFZ44N
STP80NF06L
