UMZ16N 时间：2025/11/8 9:36:50 阅读：10

UMZ16N是一款由Nexperia公司生产的N沟道MOSFET晶体管，采用SOT23（SC-59）小型表面贴装封装。该器件专为高效率、低功耗的电源管理和开关应用设计，广泛应用于便携式电子设备、消费类电子产品和工业控制电路中。UMZ16N具有低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性，适合在空间受限且对性能要求较高的应用场景中使用。其栅极阈值电压较低，能够兼容3.3V或5V逻辑电平驱动，便于与微控制器、逻辑IC等直接接口。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子制造流程。由于其出色的电气特性和紧凑的封装形式，UMZ16N常用于负载开关、电机驱动、DC-DC转换器以及信号切换等电路中，是中小功率开关应用中的理想选择之一。

参数

类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压(VDSS)：20 V
　　栅源电压(VGSS)：±8 V
　　连续漏极电流(ID) @ 25°C：4.4 A
　　脉冲漏极电流(IDM)：17.6 A
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS = 4.5V：24 mΩ
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS = 2.5V：32 mΩ
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS = 1.8V：50 mΩ
　　栅极电荷(Qg) @ 4.5V：6.4 nC
　　输入电容(Ciss)：400 pF
　　开启延迟时间(td(on))：4 ns
　　关断延迟时间(td(off))：10 ns
　　反向恢复时间(trr)：10 ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT23

特性

UMZ16N具备优异的导通特性，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统效率。在VGS=4.5V时，RDS(on)仅为24mΩ，在VGS=2.5V时也仅达到32mΩ，这使得它即使在低驱动电压条件下仍能保持良好的性能表现，非常适合电池供电设备中对能效要求较高的场合。该器件采用了先进的沟槽技术，优化了载流子迁移路径，提升了电流处理能力，并有效控制了温升问题。其最大连续漏极电流可达4.4A（@25°C），脉冲电流高达17.6A，表明其在瞬态负载下具有较强的承受能力。
　　另一个关键优势是其快速的开关响应能力。得益于较小的栅极电荷（Qg=6.4nC @4.5V）和输入电容（Ciss=400pF），UMZ16N能够在高频开关应用中实现更低的驱动损耗和更快的上升/下降时间。开启延迟时间为4ns，关断延迟时间为10ns，配合10ns的体二极管反向恢复时间，使其在DC-DC变换器、同步整流等高速切换场景中表现出色。这种高速开关特性有助于减小外部滤波元件尺寸，提升电源系统的功率密度。
　　此外，UMZ16N的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保其在恶劣环境条件下依然稳定运行。SOT23封装不仅体积小巧（约2.8mm×1.6mm），还具备良好的散热性能，通过PCB布局可实现有效的热管理。该器件通过AEC-Q101认证的可能性较高，适用于汽车电子等可靠性要求严苛的应用领域。同时，产品符合RoHS指令，不含铅和镉等有害物质，支持回流焊工艺，适应现代自动化生产需求。

应用

UMZ16N广泛应用于需要高效、小型化功率开关的各类电子系统中。常见用途包括便携式设备中的负载开关，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源路径管理，用于控制不同功能模块的上电与断电以节省能耗。在DC-DC转换器拓扑结构中，特别是降压（Buck）变换器中，UMZ16N可用作同步整流开关，替代传统肖特基二极管，大幅降低导通损耗，提高转换效率。此外，它也适用于电机驱动电路，例如微型直流电机或步进电机的H桥驱动中的低端开关元件，提供快速响应和低发热特性。
　　在LED照明驱动方面，UMZ16N可用于恒流源的开关控制，实现精确调光功能。其低阈值电压特性使其能与3.3V或5V逻辑输出直接连接，无需额外电平转换电路，简化了设计复杂度，常用于微控制器GPIO口驱动的小功率开关应用。工业控制领域中，该器件可用于继电器驱动、传感器电源控制和I/O端口保护电路。由于其具备一定的抗干扰能力和稳定的电气参数，也在通信设备、USB电源开关、充电管理单元等场景中得到广泛应用。总体而言，任何需要低电压驱动、高效率、小封装MOSFET的场合都是UMZ16N的理想应用方向。