时间：2025/6/24 8:30:48
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IRFB23N15D是一款由Infineon（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，采用TO-264-3封装形式。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于多种工业和消费类电子应用。其工作电压范围为-20V至150V，可广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景。
最大漏源电压：150V
最大连续漏极电流：19A
导通电阻：0.075Ω
栅极阈值电压：2V~4V
总功耗：180W
工作结温范围：-55℃~175℃
IRFB23N15D采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具备以下特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为0.075Ω，显著降低了功率损耗。
2. 高雪崩能量能力，提升了器件在过载或短路情况下的可靠性。
3. 超小型化设计，便于系统集成。
4. 支持高频开关操作，适合高效能转换器设计。
5. 工作温度范围宽广，能够适应极端环境条件。
6. 符合RoHS标准，环保且满足全球法规要求。
IRFB23N15D的主要应用领域包括：
1. 开关模式电源(SMPS)，如适配器、充电器和工业电源。
2. 直流/直流转换器中的同步整流。
3. 各种电机驱动电路，例如家用电器中的风扇控制。
4. 汽车电子设备中的负载切换与保护。
5. LED照明系统的恒流控制。
6. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
IRFZ44N, IRFBG25D, FDP17N10
