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GA1206A821KBEBT31G 发布时间 时间:2025/6/3 15:18:13 查看 阅读:7

GA1206A821KBEBT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率转换的应用场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,从而能够有效降低功耗并提升系统效率。
  该芯片属于N沟道增强型MOSFET,其设计优化了在高频工作条件下的性能表现,同时具备良好的热稳定性和可靠性,适用于工业控制、消费电子以及汽车电子等领域。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:6A
  导通电阻:8.2mΩ
  栅极电荷:17nC
  开关速度:典型值50ns
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-263

特性

1. 超低导通电阻,可显著减少导通损耗,提高整体效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用场合。
  3. 内置ESD保护功能,增强了器件的抗静电能力。
  4. 热稳定性强,在高温环境下仍能保持优异的性能。
  5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
  6. 封装设计紧凑,便于安装与散热。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率转换级。
  2. DC-DC转换器的核心功率元件。
  3. 电机驱动电路中的开关器件。
  4. 汽车电子系统中的负载开关。
  5. 各类工业自动化设备中的功率管理模块。

替代型号

IRFZ44N, FDP5800, AO3400

GA1206A821KBEBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容820 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-