GA1206A821KBEBT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率转换的应用场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,从而能够有效降低功耗并提升系统效率。
该芯片属于N沟道增强型MOSFET,其设计优化了在高频工作条件下的性能表现,同时具备良好的热稳定性和可靠性,适用于工业控制、消费电子以及汽车电子等领域。
最大漏源电压:120V
连续漏极电流:6A
导通电阻:8.2mΩ
栅极电荷:17nC
开关速度:典型值50ns
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-263
1. 超低导通电阻,可显著减少导通损耗,提高整体效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用场合。
3. 内置ESD保护功能,增强了器件的抗静电能力。
4. 热稳定性强,在高温环境下仍能保持优异的性能。
5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
6. 封装设计紧凑,便于安装与散热。
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换级。
2. DC-DC转换器的核心功率元件。
3. 电机驱动电路中的开关器件。
4. 汽车电子系统中的负载开关。
5. 各类工业自动化设备中的功率管理模块。
IRFZ44N, FDP5800, AO3400