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AUIRF1010ZS 发布时间 时间:2025/6/30 12:05:40 查看 阅读:4

AUIRF1010ZS 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道功率MOSFET,专为汽车应用而设计。该器件采用TO-263-3封装形式,具有出色的开关特性和低导通电阻性能,适用于高效率的DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等应用。其坚固的设计和符合AEC-Q101标准使其能够在恶劣的汽车环境中可靠运行。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏电流:48A
  导通电阻(典型值):5.7mΩ
  栅极阈值电压(典型值):2.9V
  最大功耗:220W
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-263-3

特性

AUIRF1010ZS 提供了低导通电阻以减少传导损耗,从而提升系统效率。此外,它还具备快速开关速度和低栅极电荷,有助于降低开关损耗。
  该器件在高温环境下依然能保持稳定性能,这得益于其高结温能力(最高达175℃)。同时,AUIRF1010ZS 符合汽车行业严格的AEC-Q101认证要求,确保了其在各种汽车工况下的可靠性。
  另外,这款MOSFET拥有较高的雪崩能量耐受能力,进一步增强了其鲁棒性。其表面贴装的封装形式简化了PCB设计并提升了装配效率。

应用

AUIRF1010ZS 广泛应用于汽车电子领域,包括但不限于以下场景:
  - 车载DC-DC转换器
  - 汽车启动电机控制
  - 电动助力转向系统(EPS)中的电源管理
  - LED驱动电路
  - 汽车音响系统的功率放大
  - 各类车载负载开关及保护电路

替代型号

IRF1010ZS, AUIRF1010TRPBF

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AUIRF1010ZS参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.5 毫欧 @ 75A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs95nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2840pF @ 25V
  • 功率 - 最大140W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D²PAK
  • 包装管件