AUIRF1010ZS 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道功率MOSFET,专为汽车应用而设计。该器件采用TO-263-3封装形式,具有出色的开关特性和低导通电阻性能,适用于高效率的DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等应用。其坚固的设计和符合AEC-Q101标准使其能够在恶劣的汽车环境中可靠运行。
最大漏源电压:60V
最大连续漏电流:48A
导通电阻(典型值):5.7mΩ
栅极阈值电压(典型值):2.9V
最大功耗:220W
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-263-3
AUIRF1010ZS 提供了低导通电阻以减少传导损耗,从而提升系统效率。此外,它还具备快速开关速度和低栅极电荷,有助于降低开关损耗。
该器件在高温环境下依然能保持稳定性能,这得益于其高结温能力(最高达175℃)。同时,AUIRF1010ZS 符合汽车行业严格的AEC-Q101认证要求,确保了其在各种汽车工况下的可靠性。
另外,这款MOSFET拥有较高的雪崩能量耐受能力,进一步增强了其鲁棒性。其表面贴装的封装形式简化了PCB设计并提升了装配效率。
AUIRF1010ZS 广泛应用于汽车电子领域,包括但不限于以下场景:
- 车载DC-DC转换器
- 汽车启动电机控制
- 电动助力转向系统(EPS)中的电源管理
- LED驱动电路
- 汽车音响系统的功率放大
- 各类车载负载开关及保护电路
IRF1010ZS, AUIRF1010TRPBF