容量：256K位（32K x 8）
　　组织方式：x8
　　电源电压：3.3V
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　访问时间：70ns
　　最大工作频率：70MHz
　　封装类型：52引线LLP
　　输入/输出电平：TTL/CMOS兼容
　　功耗：典型值为250mA（待机模式下为10mA）

GM76C256CLLW-70具有多个关键特性，使其在各种高性能存储应用中表现出色。首先，其高速访问时间70ns和70MHz的工作频率使得数据读写速度非常快，适用于需要实时数据处理的应用。其次，该芯片采用了先进的CMOS工艺，使其在保持高性能的同时具备较低的功耗。在正常工作模式下，其典型电流为250mA，而在待机模式下电流可降低至10mA，这大大提高了能源效率。
　　此外，GM76C256CLLW-70提供了TTL和CMOS兼容的输入/输出电平，使其能够方便地集成到不同的电路设计中。芯片的52引线LLP封装形式不仅节省了空间，还提高了封装的可靠性和散热性能，适用于高密度的PCB布局。其宽广的工作温度范围（-40°C至+85°C）也使其能够在各种工业环境和恶劣条件下稳定运行。

GM76C256CLLW-70 SRAM芯片适用于多种需要高速存储器的系统设计。在通信设备中，它常用于数据缓冲、帧存储和临时数据存储，以提高数据传输效率。例如，在网络路由器和交换机中，该芯片可用于高速缓存转发信息，加快数据包的处理速度。
　　在工业自动化和控制系统中，GM76C256CLLW-70可以作为主控制器的扩展存储器，用于存储实时运行数据、程序代码和临时计算结果。由于其宽温工作范围，它在工业环境中的稳定性表现优异。
　　该芯片还常用于嵌入式系统、数字信号处理器（DSP）和现场可编程门阵列（FPGA）系统中，用作高速缓存或临时数据存储器。例如，在医疗成像设备、测试仪器和高精度测量设备中，它可以提供快速的数据存储和读取功能，提升系统响应速度。
　　此外，GM76C256CLLW-70也可用于消费类电子产品，如高端打印机、扫描仪和多媒体设备，以提升数据处理能力。

ISSI IS61C256ALB-70TI、Cypress CY7C199-70VC、Microchip 23K256-I/P、Alliance Memory AS6C256-70SIN