时间：2025/6/30 14:31:13
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GA1206A821FBBBR31G 是一款由 GaN Systems 公司生产的增强型氮化镓（GaN）功率晶体管。该器件基于氮化镓技术，具有高开关速度、低导通电阻和高效能的特性。其设计旨在满足高性能电源转换应用的需求，例如数据中心电源、电动汽车充电器、工业电源和可再生能源系统等。该晶体管采用了标准的表面贴装封装形式，便于自动化生产和安装。
与传统的硅基 MOSFET 相比，GA1206A821FBBBR31G 提供了更高的效率和更小的体积，适合高频开关应用场景。它支持高达 650V 的漏源电压，并具备非常低的导通电阻，从而减少了传导损耗并提升了整体性能。
漏源电压：650V
导通电阻：40mΩ
连续漏极电流：17A
栅极驱动电压：4V 至 6V
输入电容：950pF
总栅极电荷：55nC
反向恢复电荷：无
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
GA1206A821FBBBR31G 拥有多种显著的特性，包括但不限于以下几点：
1. 高电压承受能力，额定漏源电压为 650V，适用于高压环境下的开关应用。
2. 极低的导通电阻（仅 40mΩ），降低了功率损耗并提高了系统效率。
3. 快速开关速度，能够有效减少开关损耗，提升高频操作时的性能。
4. 支持高频工作模式，使系统设计更加紧凑且轻量化。
5. 内部集成 ESD 保护电路，增强了器件的可靠性。
6. 热性能优异，能够在高温环境下保持稳定运行。
7. 符合 RoHS 标准，环保且易于通过相关认证。
GA1206A821FBBBR31G 广泛应用于需要高效能和高频工作的场景中，典型应用包括：
1. 数据中心和电信设备中的 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 新能源汽车充电桩的核心功率模块。
3. 工业电机驱动和逆变器。
4. 太阳能逆变器以及其他可再生能源系统。
5. 笔记本电脑和手机快速充电器。
6. LED 照明驱动电源。
7. 高密度储能系统中的功率调节单元。
GAN063-650WSA
