GA1206A821FBBBR31G 是一款由 GaN Systems 公司生产的增强型氮化镓(GaN)功率晶体管。该器件基于氮化镓技术,具有高开关速度、低导通电阻和高效能的特性。其设计旨在满足高性能电源转换应用的需求,例如数据中心电源、电动汽车充电器、工业电源和可再生能源系统等。该晶体管采用了标准的表面贴装封装形式,便于自动化生产和安装。
与传统的硅基 MOSFET 相比,GA1206A821FBBBR31G 提供了更高的效率和更小的体积,适合高频开关应用场景。它支持高达 650V 的漏源电压,并具备非常低的导通电阻,从而减少了传导损耗并提升了整体性能。
漏源电压:650V
导通电阻:40mΩ
连续漏极电流:17A
栅极驱动电压:4V 至 6V
输入电容:950pF
总栅极电荷:55nC
反向恢复电荷:无
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
GA1206A821FBBBR31G 拥有多种显著的特性,包括但不限于以下几点:
1. 高电压承受能力,额定漏源电压为 650V,适用于高压环境下的开关应用。
2. 极低的导通电阻(仅 40mΩ),降低了功率损耗并提高了系统效率。
3. 快速开关速度,能够有效减少开关损耗,提升高频操作时的性能。
4. 支持高频工作模式,使系统设计更加紧凑且轻量化。
5. 内部集成 ESD 保护电路,增强了器件的可靠性。
6. 热性能优异,能够在高温环境下保持稳定运行。
7. 符合 RoHS 标准,环保且易于通过相关认证。
GA1206A821FBBBR31G 广泛应用于需要高效能和高频工作的场景中,典型应用包括:
1. 数据中心和电信设备中的 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 新能源汽车充电桩的核心功率模块。
3. 工业电机驱动和逆变器。
4. 太阳能逆变器以及其他可再生能源系统。
5. 笔记本电脑和手机快速充电器。
6. LED 照明驱动电源。
7. 高密度储能系统中的功率调节单元。
GAN063-650WSA