电容值：330pF
　　容差：±20%
　　额定电压：16Vdc
　　介电材料：X7R
　　温度特性：-55°C 至 +125°C，电容变化不超过±15%
　　封装尺寸：依据K代码推断为0603（1608公制）
　　温度系数：符合EIA X7R标准
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +125°C
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 C·V ≥ 100MΩ·μF（取较大者）
　　耐湿性：满足IEC 60068-2-30标准
　　老化特性：X7R材料典型老化率为<2.5%/decade小时
　　等效串联电阻（ESR）：低至数毫欧级别（具体值依频率而定）
　　自谐振频率（SRF）：百MHz级别，适合高频去耦应用

UKL1C331MPDANA所采用的X7R型介电材料赋予了其优异的温度稳定性和电容保持能力。在-55°C到+125°C的宽温范围内，电容值的变化被严格控制在±15%以内，这使其非常适合用于对稳定性要求较高的电路环境中，例如开关电源的输入/输出滤波、DC-DC转换器旁路以及模拟信号链中的耦合与去耦。相较于Z5U或Y5V等高K介质材料，X7R在温度和电压变化下的非线性响应更小，能够提供更加可预测的电气行为。此外，该电容器具备良好的直流偏压特性，在接近额定电压的工作条件下仍能维持较高比例的有效电容，这对于现代低压大电流供电系统尤为重要。
　　该器件采用先进的多层叠膜工艺制造，内部由数十甚至上百层陶瓷介质与内电极交替堆叠而成，显著提升了单位体积内的电容密度。这种结构不仅实现了小型化（如0603封装），还降低了等效串联电感（ESL），从而提高了自谐振频率，使其在数百MHz频段依然具备有效的去耦能力，适用于高速数字电路中抑制噪声和电压波动。同时，低ESR特性减少了高频下的能量损耗，有助于降低温升，提高系统可靠性。
　　UKL1C331MPDANA符合RoHS指令要求，不含铅和其他有害物质，并通过AEC-Q200等可靠性认证的可能性较高，适用于汽车电子等严苛环境。其端电极为镍阻挡层加锡外镀层（Ni-Sn），具备良好的可焊性和抗热冲击性能，支持回流焊和波峰焊等多种SMT工艺。在长期使用过程中，该电容表现出较低的老化速率，且在湿度、振动和机械应力条件下保持稳定的电气参数，确保产品在整个生命周期内的性能一致性。

UKL1C331MPDANA多层陶瓷电容器广泛应用于多种电子系统中，尤其适合作为电源管理电路中的去耦和滤波元件。在DC-DC转换器设计中，它常被放置于IC电源引脚附近，用于吸收瞬态电流变化引起的电压尖峰，稳定供电电压，防止因电源扰动导致的逻辑错误或信号失真。由于其具备良好的高频响应特性，该电容也常用于高速微处理器、FPGA、ASIC等数字芯片的电源轨旁路，有效抑制高频噪声传播，提升系统的电磁兼容性（EMC）表现。
　　在模拟电路中，该电容器可用于信号耦合与隔直，尤其是在中频放大器、滤波器和传感器接口电路中，其稳定的电容值和低损耗特性有助于保持信号完整性。此外，在射频（RF）模块中，虽然主要谐振和匹配网络会使用更高精度的NPO/C0G电容，但X7R类型的UKL1C331MPDANA仍可用于偏置电路的滤波或级间耦合，以降低成本并节省空间。
　　在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备中，该器件因其小尺寸和高可靠性而被大量采用。工业控制系统、医疗设备以及车载信息娱乐系统同样依赖此类电容来保障复杂电路的稳定运行。特别是在汽车电子应用中，工作温度范围宽、抗振动能力强的特点使得该型号成为可靠的无源元件选择。此外，它也可用于LED驱动电源、AC-DC适配器、IoT节点模块等低功耗嵌入式系统中，执行储能、滤波和瞬态抑制功能。

GRM188R71C331KA01D
　　CL21A331MPQNNNE
　　C1608X7R1C331K035AB