FHF20100 时间：2025/6/24 13:03:21 阅读：7

FHF20100是一款高性能的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），主要用于高频、高效率开关应用。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于各种电力电子转换场景。
　　这款MOSFET在设计上特别注重降低开关损耗和导通损耗，从而提升整体系统的能效表现。其广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场合。

参数

最大漏源电压：100V
　　最大连续漏极电流：20A
　　导通电阻（典型值）：4.5mΩ
　　栅极电荷：36nC
　　输入电容：1790pF
　　总耗散功率：181W
　　工作结温范围：-55℃ to 150℃

特性

FHF20100具有以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻，在25℃时为4.5mΩ，确保了高效的电流传输。
　　2. 快速的开关速度，栅极电荷仅为36nC，降低了开关过程中的能量损失。
　　3. 高雪崩耐量能力，能够承受异常情况下的过载脉冲。
　　4. 紧凑的封装形式（TO-220或D2PAK可选），方便安装并优化散热性能。
　　5. 工作温度范围宽广，从-55℃到+150℃，适应多种恶劣环境。

应用

FHF20100适合应用于如下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中作为主开关管。
　　2. 各类DC-DC转换器，如降压、升压及反激式拓扑结构。
　　3. 电动工具、家用电器中的电机驱动控制。
　　4. 负载切换电路，例如服务器和通信设备中的电源管理。
　　5. 光伏逆变器和电池管理系统中的功率调节组件。