类型：双开关二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：70V
　　最大平均整流电流（IO）：100mA
　　最大正向压降（VF）：1.25V @ 10mA
　　最大反向漏电流（IR）：100nA @ 70V
　　最大功耗（PD）：300mW
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　结电容（Cj）：10pF @ 0V
　　反向恢复时间（trr）：30ns

MMBD7002LT1 具备多项优异特性，使其适用于多种电子系统设计。
　　首先，该器件采用 SOT-23 小型封装，节省电路板空间，便于在高密度 PCB 设计中使用。
　　其次，其双二极管结构可以用于实现两个独立的开关功能，也可用于构建全波整流电路或其他桥式应用。
　　MMBD7002LT1 的最大重复峰值反向电压为 70V，支持中等电压等级的应用，适用于电源转换、信号控制等场景。
　　该器件的正向压降较低，典型值为 1.25V @ 10mA，有助于降低功耗并提高系统效率。
　　其反向漏电流在最大反向电压下仅为 100nA，确保在高温或高压环境下仍具有良好的稳定性。
　　此外，MMBD7002LT1 的反向恢复时间（trr）为 30ns，属于快速恢复二极管，适合用于高频开关电路，如DC-DC转换器、高频整流和信号检测。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于工业级和汽车电子环境。
　　最后，MMBD7002LT1 的最大功耗为 300mW，能够在中等功率应用中可靠运行。

MMBD7002LT1 广泛应用于以下领域：
　　1. 电源管理：如 DC-DC 转换器、电池充电电路、电压极性保护等。
　　2. 通信系统：用于射频信号开关、调制解调器、信号耦合与隔离等高频应用。
　　3. 汽车电子：适用于车载电源系统、LED 驱动电路、传感器接口等场景。
　　4. 工业控制：如 PLC 控制电路、继电器驱动保护、工业自动化信号处理等。
　　5. 消费类电子产品：包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源切换与信号处理电路。
　　6. 测试与测量设备：用于仪表电路中的信号整流、电压检测等功能。
　　该器件的快速恢复时间和低电容特性，使其在数据通信和高速信号处理中表现出色。

MMBD7002LT1G, MMBD7002T1, 1N4148W, 1N4448, BA277