PDTD113ES 时间：2025/12/27 22:05:59 阅读：15

PDTD113ES是一款由Rohm Semiconductor生产的N沟道MOSFET晶体管，集成在小型表面贴装封装中，专为高密度、低电压开关应用设计。该器件结合了MOSFET的快速开关特性和内置偏置电阻的优势，简化了电路设计并减少了外部元件数量。PDTD113ES属于Rohm的“Bias Resistor Built-in Transistor”（BRT）系列，其内部集成了一个基极串联电阻和一个发射极-基极下拉电阻，虽然其名称带有“Transistor”，但实际上是MOSFET结构，常用于逻辑电平转换、信号开关、LED驱动以及小功率负载控制等场景。该器件采用SOT-23或同等小型封装，具有良好的热性能和空间利用率，适用于便携式电子设备、消费类电子产品以及工业控制模块。由于其内部集成电阻的设计，PDTD113ES能够直接由微控制器或其他数字逻辑输出驱动，无需额外的限流或偏置电路，从而降低了整体系统成本和PCB布局复杂度。此外，该器件具备良好的静电放电（ESD）保护能力和较高的可靠性，符合RoHS环保标准，适合自动化贴片生产流程。

参数

型号：PDTD113ES
　　类型：N沟道MOSFET（带内置偏置电阻）
　　封装形式：SOT-23
　　通道数：单通道
　　漏源电压(VDS)：50V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：100mA
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：400mA
　　导通电阻(RDS(on))：最大6Ω（典型值约5Ω）
　　阈值电压(Vth)：典型值1.2V，范围1.0V~1.5V
　　输入电容(Ciss)：约110pF
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　热阻结到环境(θJA)：约400°C/W
　　极性：增强型MOSFET
　　内置电阻配置：栅极串联电阻（典型47kΩ），源极下拉电阻（典型47kΩ）

特性

PDTD113ES的核心特性之一是其内部集成的偏置电阻网络，这一设计显著简化了外围电路的需求。该器件在栅极与源极之间集成了一个47kΩ的下拉电阻，并在栅极输入端串联了一个47kΩ的限流电阻。这种结构确保了在输入信号悬空时，MOSFET能够可靠地保持关断状态，避免因噪声或浮动引脚导致的误触发，提高了系统的稳定性和抗干扰能力。同时，该电阻网络使得器件可以直接连接到3.3V或5V逻辑输出（如MCU GPIO），无需额外的驱动电路，极大地方便了设计人员进行快速原型开发和产品集成。
　　另一个关键特性是其低导通电阻与低阈值电压的组合。PDTD113ES的阈值电压典型值为1.2V，这意味着即使在低至1.8V的逻辑电平下也能实现有效导通，适用于现代低功耗数字系统。其RDS(on)最大为6Ω，在100mA负载电流下仅产生几十毫伏的压降，有助于提高能效并减少发热。此外，器件的小型SOT-23封装使其非常适合空间受限的应用，例如智能手机、可穿戴设备、物联网传感器节点等。
　　从可靠性角度看，PDTD113ES具备良好的热稳定性与ESD防护能力，能够在恶劣的电气环境中稳定运行。其工作结温可达150°C，支持宽温工业级应用。同时，该器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准（视具体批次而定），可用于车载电子系统中的小信号开关任务。制造工艺上采用先进的半导体技术，保证了器件的一致性和长期可靠性，适合大批量自动化装配。

应用

PDTD113ES广泛应用于需要小型化、低功耗和高集成度的电子系统中。在便携式消费类电子产品中，它常被用作LED背光或指示灯的开关控制，通过微控制器输出信号直接驱动，实现亮度调节或状态显示功能。由于其内置电阻设计，无需额外的限流电阻，节省了PCB面积和物料成本，特别适合耳机、智能手表、蓝牙音箱等紧凑型设备。
　　在数字逻辑接口电路中，PDTD113ES可用于电平转换或信号缓冲。例如，当一个3.3V MCU需要控制一个5V工作的外设时，可通过该MOSFET构建简单的双向电平转换器，实现安全高效的电压匹配。此外，在多路复用器、继电器驱动、蜂鸣器控制等低电流负载开关场合，该器件也表现出色，能够承受频繁的开关操作而不易损坏。
　　工业控制和通信模块中，PDTD113ES可用于隔离不同电源域之间的信号传输，或作为I/O扩展芯片的驱动级。其高输入阻抗和低静态功耗特性使其非常适合电池供电的远程传感器节点或无线模块。此外，在汽车电子系统中，该器件可用于车内照明控制、按钮反馈检测或CAN总线终端使能开关等功能模块，满足车规级对可靠性和温度范围的要求。