时间：2025/6/25 21:37:37
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DMP56D0UFB是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关和其他需要高效开关和低导通损耗的场景中。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够显著提高系统的效率和可靠性。
该MOSFET的主要特点是其优化的电气性能和紧凑的封装设计，适合在空间受限的应用中使用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：21A
导通电阻：3.8mΩ
栅极电荷：34nC
总电容：1370pF
工作温度范围：-55℃ to 150℃
封装类型：TO-252(DPAK)
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗。
2. 高开关速度，能够适应高频应用需求。
3. 具备优秀的热性能，在高功率密度场景下表现出色。
4. 紧凑型表面贴装封装，便于自动化生产和安装。
5. 符合RoHS标准，环保且适用于现代电子产品的需求。
6. 提供稳健的静电放电（ESD）保护能力。
1. 开关电源中的同步整流器。
2. 电机驱动中的功率级控制。
3. 各类负载开关及保护电路。
4. 电池管理系统中的功率管理模块。
5. DC-DC转换器及逆变器中的功率开关元件。
DMP5060UF
DMP5060UFG
IRLZ44N
FDP5570
