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GA1206A820GBBBR31G 发布时间 时间:2025/7/10 16:01:54 查看 阅读:13

GA1206A820GBBBR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子领域。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高耐压和快速开关特性,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  该型号属于功率半导体家族,主要功能是通过控制电流的流通来实现对负载的有效管理,适用于各种需要高效功率转换的场景。

参数

最大漏源电压:820V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:0.15Ω
  栅极电荷:35nC
  反向恢复时间:85ns
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

GA1206A820GBBBR31G 的核心优势在于其出色的电气性能和可靠性。它具有以下特点:
  1. 高耐压能力,可承受高达 820V 的漏源电压,适用于高压应用环境。
  2. 超低导通电阻,仅为 0.15Ω,有效降低功率损耗并提升效率。
  3. 快速开关速度,栅极电荷小(35nC),能够支持高频操作。
  4. 优秀的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定性能。
  5. 符合 RoHS 标准,环保设计,适合全球市场的应用需求。
  此外,该器件还具有坚固的封装结构,提高了抗冲击和抗振动能力,非常适合工业和汽车级应用。

应用

GA1206A820GBBBR31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):用于 AC-DC 和 DC-DC 转换电路中,提供高效的功率传输。
  2. 电机驱动:适用于各种类型的电机控制,包括步进电机、伺服电机和无刷直流电机。
  3. 逆变器:在太阳能逆变器和 UPS 系统中作为关键功率器件。
  4. 工业自动化设备:如 PLC、变频器等,用于精确控制负载。
  5. 汽车电子:如电动助力转向系统(EPS)、电子制动系统(EBS)以及车载充电器等。
  凭借其卓越的性能,该器件成为众多高要求应用的理想选择。

替代型号

IRFP460, STP12NM80Z, FQA12N80C

GA1206A820GBBBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容82 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-