您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1210H683KBAAR31G

GA1210H683KBAAR31G 发布时间 时间:2025/7/3 18:28:58 查看 阅读:8

GA1210H683KBAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高频工作条件下提供高效的性能表现。
  这款功率 MOSFET 适用于工业控制、汽车电子和消费电子等多个领域,凭借其卓越的电气特性和可靠性,成为许多设计工程师的首选器件。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  耐压:120V
  最大电流:70A
  导通电阻:4.5mΩ(典型值)
  栅极电荷:15nC(典型值)
  开关速度:超快
  封装形式:TO-247
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

GA1210H683KBAAR31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低功率损耗并提高效率。
  2. 高频工作能力,得益于其较低的栅极电荷和快速的开关特性。
  3. 具备出色的热稳定性,适合长时间在高温环境下运行。
  4. 支持大电流负载,能够满足多种功率应用场景的需求。
  5. 紧凑且坚固的封装设计,增强了散热性能并简化了 PCB 布局。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
  该芯片通过优化设计,在保证高效的同时还具备较强的抗干扰能力和耐用性,非常适合需要高可靠性的系统。

应用

GA1210H683KBAAR31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
  2. 各类 DC-DC 转换模块,如降压、升压和反激拓扑。
  3. 电动汽车及混合动力汽车中的电机控制器。
  4. 工业自动化设备中的变频器和伺服驱动器。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
  6. 消费类电子产品,例如笔记本适配器和家用电器。
  由于其强大的电流承载能力和高频特性,该芯片特别适合于对效率和性能要求较高的场景。

替代型号

IRFZ44N, FDP5800, STP70NF12

GA1210H683KBAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.068 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-