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GA1206A820FBBBT31G 发布时间 时间:2025/6/30 13:45:28 查看 阅读:6

GA1206A820FBBBT31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率晶体管,专为高频开关应用设计。该器件采用先进的封装工艺和增强型 GaN HEMT 技术,能够显著提高功率转换效率并降低系统体积。
  其主要应用场景包括电源适配器、快充设备、DC-DC 转换器以及其他高频功率电子系统。与传统硅基 MOSFET 相比,这款芯片具有更低的导通电阻、更快的开关速度以及更高的工作频率。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:8A
  导通电阻:40mΩ
  栅极电荷:70nC
  反向恢复时间:<10ns
  工作温度范围:-40℃ 至 +150℃

特性

GA1206A820FBBBT31G 的核心优势在于利用了氮化镓材料的优异性能。它具备以下特点:
  1. 极低的导通电阻,可减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 快速开关能力,支持高达数 MHz 的工作频率。
  3. 小尺寸封装,便于集成到紧凑型设计中。
  4. 高可靠性和热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能。
  5. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,增强了系统的安全性。

应用

该芯片广泛应用于各种需要高效能和小体积的场景,具体包括:
  1. USB-PD 快速充电器。
  2. 消费类 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  3. 数据中心及通信设备中的电源模块。
  4. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源相关产品。
  5. 各种工业自动化设备中的高频开关电路。

替代型号

GaN063-650HS-G0
  GXT65R040AE
  MPX40N65E

GA1206A820FBBBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容82 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-