时间：2025/5/8 13:38:35
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2SK880-GR是一种N沟道MOSFET功率晶体管，广泛应用于高频功率放大器、射频开关和音频功率放大器等场景。该晶体管采用TO-3P封装形式，具备高增益、低噪声和优良的线性特性，非常适合于要求高性能和稳定性的电子电路设计。
该型号属于富士通半导体（现为旭化成微系统）的产品系列，以其卓越的射频性能而闻名。2SK880-GR特别适合需要高效率和低失真的应用场合。
最大漏极电流：4A
最大漏源电压：150V
最大栅源电压：±20V
最大耗散功率：60W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
增益带宽积：1.2GHz
特征频率(fT)：1.2GHz
导通电阻(Rds(on))：7Ω
输入电容(Ciss)：420pF
2SK880-GR是一款专门针对高频应用优化的MOSFET器件。其主要特性包括：
1. 高增益和宽带宽性能，能够满足射频和音频放大器的要求。
2. 具备较低的输入电容值，从而减少了寄生效应并提高了高频下的稳定性。
3. 良好的热性能，使其能够在较高的功率水平下运行，同时保持稳定的输出。
4. 采用TO-3P金属封装，提供了优秀的散热特性和机械强度。
5. 工作温度范围广，适应多种恶劣环境条件。
2SK880-GR主要用于以下领域：
1. 射频功率放大器：在无线通信设备、业余无线电发射机等领域作为功率放大器件。
2. 音频功率放大器：用于高质量音响设备中，提供高保真度的声音输出。
3. 开关电源及逆变器：利用其快速开关特性实现高效的电源管理。
4. 工业控制与电机驱动：适用于需要精确控制电流和电压的应用场景。
5. 测试测量仪器：在精密测试设备中充当信号调节或放大的核心元件。
2SK1096, 2SK880
