B2102USNG20C-000133 是一款高精度陶瓷电容器,采用多层陶瓷技术(MLCC),具有低ESR、高频率稳定性和出色的温度特性。该型号通常用于射频和微波电路中的滤波、耦合和去耦应用。其结构紧凑,适合在高频环境中使用,同时能够提供稳定的电容值。
电容值:22pF
额定电压:50V
耐压范围:±10%
温度系数:NPO(C0G)
封装形式:0402英寸
工作温度范围:-55℃至+125℃
直流偏置特性:极低
ESR(等效串联电阻):≤10mΩ
频率范围:DC至6GHz
B2102USNG20C-000133 的主要特点是采用了NPO(C0G)介质材料,使其具有优异的温度稳定性,能够在宽温度范围内保持电容值不变。此外,其小型化的0402封装非常适合现代高密度PCB设计,而低ESR特性则确保了其在高频环境下的卓越性能。
B2102USNG20C-000133 还具备较低的直流偏置效应,这意味着即使在施加直流电压时,其电容值也不会显著降低,从而进一步提升了其在射频和无线通信系统中的适用性。
该型号广泛应用于各种高频电子设备中,包括但不限于:
1. 射频滤波器
2. 微波放大器
3. 高速数据转换器的电源去耦
4. 雷达系统的信号处理模块
5. 无线通信基站的前端匹配网络
6. 医疗成像设备中的高频电路
由于其高稳定性和可靠性,B2102USNG20C-000133 成为许多高性能应用的理想选择。
B2102USNG20C-000122
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