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GA1206A682FXBBT31G 发布时间 时间:2025/6/30 14:28:03 查看 阅读:6

GA1206A682FXBBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等领域。该芯片具有较低的导通电阻和快速的开关速度,能够显著提升系统效率并降低功耗。其封装形式为行业标准的表面贴装类型,适合高密度电路板设计。

参数

型号:GA1206A682FXBBT31G
  最大漏源电压(Vds):60V
  连续漏极电流(Id):120A
  导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ
  栅极电荷(Qg):95nC
  总电容(Ciss):4250pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247-3

特性

GA1206A682FXBBT31G 采用先进的制造工艺,具备以下突出特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有效减少传导损耗。
  2. 快速开关性能,适用于高频应用场合。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的可靠性。
  4. 热稳定性强,能够在宽广的工作温度范围内保持稳定的性能。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

该芯片广泛应用于多种领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
  2. 工业设备中的 DC-DC 转换器。
  3. 电动车及混合动力汽车的电机驱动系统。
  4. 大功率 LED 照明驱动电路。
  5. 各类负载切换与保护电路。
  由于其出色的电气特性和可靠性,GA1206A682FXBBT31G 成为许多高功率密度应用的理想选择。

替代型号

IRFP2907ZPBF, IXFN120N06L2

GA1206A682FXBBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容6800 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-