时间：2025/6/20 19:14:06
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GJM1555C1H430FB01D是一款高性能的功率MOSFET器件，主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用。该器件采用先进的制造工艺，在导通电阻、开关速度和耐压能力等方面具有优异的表现。其封装形式为行业标准，便于在各种电路设计中使用。
型号：GJM1555C1H430FB01D
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：430mΩ
功耗(Pd)：180W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
GJM1555C1H430FB01D的主要特点是其具备较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高效率。此外，该器件还具有高耐压能力（650V），使其非常适合高压应用环境。其快速开关特性可以有效降低开关损耗，并支持高频操作。
该MOSFET的热性能也非常出色，能够在高温环境下稳定工作，从而提高了系统的可靠性和寿命。同时，它采用了优化的封装设计，以增强散热性能和电气连接的稳定性。
GJM1555C1H430FB01D广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电机控制和驱动、逆变器以及工业自动化设备等。其高耐压和低导通电阻的特点使其特别适合于需要高效能量转换和高可靠性的场景。
此外，这款MOSFET还可以用于电池管理系统(BMS)、光伏逆变器以及其他需要大电流处理的应用中。
GJM1555C1H430FA01D
GJM1555C1H430FC01D
