时间：2025/5/16 17:02:52
阅读：25
GA1206A5R6DBBBR31G 是一款由 GeneSiC Semiconductor 公司生产的碳化硅 (SiC) MOSFET 功率晶体管。该器件采用先进的 SiC 技术，具有高效率、高频开关能力以及出色的热性能，适用于高功率密度应用场合。
这种 SiC MOSFET 的设计使其能够承受较高的电压和电流，同时保持较低的导通电阻，从而减少功率损耗并提升系统效率。其封装形式为 D2PAK-7 (TO-263-7)，便于散热管理且适合表面贴装技术 (SMT) 工艺。
额定电压：1200V
额定电流：6A
导通电阻 (Rds(on))：45mΩ (最大值，在 Vgs=15V 和 Tj=25°C 时)
栅极电荷 (Qg)：85nC (典型值)
输入电容 (Ciss)：2190pF (典型值)
反向恢复时间 (trr)：75ns (典型值)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 高效的碳化硅 (SiC) 材料确保了低开关损耗和低导通电阻。
2. 额定电压高达 1200V，适合高压应用场景。
3. 支持高频操作，非常适合于 DC-DC 转换器、逆变器和其他高频功率转换设备。
4. 优异的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
5. 紧凑型 D2PAK-7 封装简化了 PCB 布局，并增强了散热性能。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
1. 工业电源和 UPS 系统中的高效功率转换。
2. 太阳能逆变器的核心功率级组件。
3. 电动汽车 (EV) 充电器和牵引逆变器中的关键元件。
4. 高频 DC-DC 转换器，用于电信基础设施和服务器电源。
5. 高功率电机驱动和工业自动化控制设备。
6. 开关模式电源 (SMPS) 和 PFC (功率因数校正) 电路。
GA1206A5R6DBBTR31G
