类型：IGBT 模块
　　拓扑结构：半桥（Half-Bridge）
　　额定集电极-发射极电压（VCES）：600 V
　　额定集电极电流（IC）：56 A
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　短路耐受能力：有
　　封装形式：SKT-DIP
　　导通压降（VCE_sat @ IC=56A）：约 2.1 V
　　输入电容（Cies）：约 2000 pF
　　开关损耗（典型值）：Eon ≈ 1.5 mJ，Eoff ≈ 1.2 mJ
　　二极管反向恢复时间（trr）：约 80 ns

SKNH56/08 具有多种优良的电气和机械特性，适用于工业控制和功率变换系统。首先，该模块采用了先进的 IGBT 技术，具有较低的导通压降和开关损耗，有助于提高系统整体效率并减少散热需求。其次，模块内部集成两个 IGBT 单元和反并联二极管，形成半桥结构，方便用户在设计电路时简化布局并提高可靠性。
　　此外，SKNH56/08 采用了 Semikron 的 SKT-DIP 封装技术，具有良好的绝缘性能和机械稳定性，可适应高温和高湿度的工作环境。其封装材料符合 RoHS 标准，符合现代电子产品的环保要求。
　　该模块还具有较强的短路耐受能力，能够在瞬态故障情况下提供更高的安全裕度。其封装设计确保了良好的热传导性能，有助于将热量快速散发，从而提高模块的使用寿命和稳定性。在实际应用中，该模块可通过标准的 PCB 插件方式进行安装，简化了装配流程并提高了维护便利性。
　　另外，该模块支持快速开关操作，适用于高频变换器和逆变器系统。其输入电容较低，有助于减少驱动电路的负担，提高整体系统的响应速度。反并联二极管具有较低的反向恢复时间，有助于减少开关损耗并抑制电压尖峰。

SKNH56/08 主要用于各种中功率电力电子系统中，包括工业电机驱动、伺服驱动器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及家电变频系统等。由于其具有良好的开关性能和较高的可靠性，该模块也常用于需要高效能和紧凑设计的电源系统中。
　　在电机控制应用中，SKNH56/08 可用于构建三相逆变桥的单臂结构，实现对交流电机的高效控制。在太阳能逆变系统中，它可用于 DC-AC 逆变环节，将光伏板输出的直流电转换为交流电并馈入电网或供本地负载使用。
　　此外，该模块还适用于高频感应加热、电焊设备、智能电网储能系统等领域。其半桥结构使其特别适合用于谐振变换器、ZVS（零电压开关）电路和 LLC 转换器等拓扑结构，从而提高系统效率并减小磁性元件体积。

SKM50GB063D, FS50R06KE3, FF50R06KE3, SKNH56/08R