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MTP12P10G 发布时间 时间:2025/5/27 18:59:54 查看 阅读:15

MTP12P10G是一种高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用TO-252封装形式,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特点,适合在高频开关应用中使用。

参数

型号:MTP12P10G
  类型:N沟道功率MOSFET
  封装:TO-252
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):12A
  导通电阻(Rds(on)):0.14Ω(在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):26W
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

MTP12P10G的主要特性包括:
  1. 低导通电阻设计,有助于降低传导损耗并提高效率。
  2. 高速开关性能,能够适应高频应用的需求。
  3. 具备较强的电流承载能力,支持高达12A的连续漏极电流。
  4. 良好的热稳定性,确保在高温环境下也能正常运行。
  5. 小型化的TO-252封装,节省PCB空间。
  6. 符合RoHS标准,环保且可靠性高。
  MTP12P10G的设计使其非常适合用于需要高效能和高可靠性的电力电子应用中。

应用

MTP12P10G可以应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器的核心元件。
  3. 各种类型的电机驱动电路。
  4. 电池保护及负载切换。
  5. LED驱动器和背光控制。
  6. 汽车电子系统中的开关组件。
  由于其优异的性能,MTP12P10G成为了许多高效率、小体积电力电子设计的理想选择。

替代型号

MTP12P10E, IRFZ44N, FDP5570

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MTP12P10G参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C300 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs50nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds920pF @ 25V
  • 功率 - 最大75W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称MTP12P10GOS