时间：2025/5/12 19:08:30
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GA1206A5R6DBABR31G 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和放大应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度等特性。它广泛应用于电源管理、电机驱动、工业自动化等领域。
型号：GA1206A5R6DBABR31G
类型：MOSFET
极性：N-Channel
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：90A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
总功耗(Ptot)：180W
工作温度范围：-55°C to 150°C
封装形式：TO-247-3
GA1206A5R6DBABR31G 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了高效的功率传输，并减少了能量损耗。
2. 快速开关速度能够适应高频应用环境。
3. 高额定电流 Id 可以满足大功率负载需求。
4. 宽泛的工作温度范围使其能够在极端条件下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
6. TO-247-3 封装形式便于散热设计与安装。
该器件适用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机控制和驱动电路中的电子开关。
3. 电池保护系统中的负载切换。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 各种需要高效功率转换的应用场景。
IRFZ44N
FDP55N06L
STP90NF06L
