时间：2025/8/25 4:05:45
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G40N140是一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率开关、电源管理和电机控制等高功率电子系统中。这款MOSFET具有高电压和高电流的承载能力，适合需要高效能和高可靠性的应用场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：1400V
最大漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：典型值0.23Ω
栅极电压(Vgs)：±20V
最大功耗(Pd)：400W
工作温度范围：-55°C至+150°C
G40N140具备低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。
其高电压耐受能力（1400V）使其适用于高压电源转换和电机驱动等应用。
此外，G40N140拥有良好的热稳定性和耐用性，能够在严苛的工作环境下保持性能稳定。
该MOSFET还具有快速开关特性，减少了开关损耗，提高了动态响应能力。
封装设计优化，便于安装和散热，适用于高功率密度的设计需求。
G40N140广泛应用于各类电力电子设备中，如变频器、逆变器、不间断电源（UPS）、电动工具、工业自动化设备以及新能源系统（如太阳能逆变器）等。
在这些应用中，G40N140能够作为主功率开关，控制大电流和高电压的负载，实现高效的能量转换和控制。
由于其高可靠性和耐久性，它也常用于需要长时间运行和高负载循环的工业设备中。
G40N150, IRG4BC30U, G40N120
