时间：2025/6/17 2:48:20
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GA1206A562JXABT31G 是一款高性能的功率 MOSFET，属于 GaN（氮化镓）基器件。该芯片采用了先进的增强型 GaN 技术，具有极低的导通电阻和快速的开关性能，适用于高频、高效能的应用场景。其高功率密度和小封装尺寸使其成为电源管理、DC-DC 转换器、快充适配器以及工业电子设备的理想选择。
这款芯片的卓越性能源于其内部的 GaN HEMT 结构，能够显著降低功耗并提高系统效率。同时，其稳健的设计确保了在严苛环境下的可靠运行。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：30A
导通电阻：45mΩ
栅极电荷：95nC
开关频率：超过2MHz
结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247-3
1. 极低的导通电阻，可有效减少传导损耗。
2. 快速的开关速度，支持高频工作以缩小无源元件体积。
3. 高击穿电压和高可靠性设计，适合各种复杂应用场景。
4. 热阻较低，具备优秀的散热性能。
5. 内置 ESD 保护机制，增强抗干扰能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. 服务器和通信设备中的高效 DC-DC 转换模块。
3. 消费类电子产品如 USB-PD 快充头。
4. 电机驱动及太阳能微逆变器。
5. 工业自动化控制与电动汽车充电设施。
6. 高频谐振电路以及其他对效率和小型化有严格要求的领域。
GAN063-650WSA, IRG4PC30KD, FDMQ8205
