SLW24N50C 时间：2025/9/6 7:31:00 阅读：3

SLW24N50C 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、逆变器以及其他高功率电子设备中。该器件具备高耐压、低导通电阻和高效率等特点，适合在高频率和高功率环境下工作。SLW24N50C 通常采用 TO-252（DPAK）封装，适用于表面贴装，有助于提高散热效率。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：24A
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤0.22Ω（典型值）
　　功耗（PD）：60W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

SLW24N50C 的核心优势在于其优异的导通性能和耐压能力。其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流条件下，导通损耗最小化，从而提高系统整体效率。此外，500V 的漏源电压（VDS）使其能够承受较高的电压应力，适用于高压应用。该 MOSFET 还具有良好的热稳定性，能够在高功率环境下保持稳定运行，延长设备寿命。
　　该器件的 TO-252 封装不仅提供了良好的散热性能，还简化了 PCB 布局和组装流程，适用于高密度设计。同时，其栅极驱动电压范围宽，支持多种驱动电路，增强了设计灵活性。SLW24N50C 还具备快速开关特性，使其在高频转换器中表现出色，降低了开关损耗并提高了响应速度。

应用

SLW24N50C 主要用于各种电源管理系统和功率控制电路中。例如，在 AC-DC 开关电源、DC-DC 升压/降压转换器、马达驱动电路以及 UPS 不间断电源系统中都有广泛应用。此外，它还可用于逆变器、太阳能逆变系统和工业自动化设备中的功率开关模块。由于其高可靠性和优良的热性能，SLW24N50C 在需要高效率、高稳定性的电源转换场合表现出色，能够满足现代电子设备对节能和高效能的严格要求。