时间：2025/8/4 16:44:16
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GS4911BCNE3 是一款由 GSI Technology 生产的高性能异步静态随机存取存储器（Static Random Access Memory，SRAM）。这款SRAM芯片专为高速数据存储应用设计，具有低功耗、高可靠性和广泛的工业级温度适应能力。GS4911BCNE3 通常用于通信设备、工业控制、网络设备、测试仪器等对存储性能要求较高的场合。
类型：异步SRAM
容量：1Mb（128K x 8）
电源电压：3.3V 或 5V 可选
访问时间：10ns（最大）
封装形式：52-TQFP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
读写操作：异步读写控制
数据保持电压：最小1.5V
封装尺寸：7mm x 7mm（近似）
GS4911BCNE3 SRAM芯片具备多项高性能特性。其10ns的访问时间确保了高速数据读写能力，适用于实时系统中的高速缓存需求。该芯片支持3.3V或5V电源供电，增强了其在不同系统中的兼容性。此外，其异步控制接口设计简化了与微处理器或其他主控设备的连接。芯片内部采用低功耗设计，在保持高性能的同时，有效降低系统功耗，适用于对功耗敏感的应用场景。GS4911BCNE3采用52-TQFP封装，具有良好的热稳定性和机械稳定性，适合在工业级温度范围内稳定运行。该芯片还具备数据保持功能，在电源电压降至1.5V以下时仍可保持存储数据不丢失，适用于需要断电数据保持的系统。
GS4911BCNE3 主要应用于需要高速、低功耗和可靠存储解决方案的设备中。例如，在网络交换机和路由器中作为数据缓存，提高数据处理效率；在工业控制系统中用于临时存储运行数据和程序指令；在通信设备中作为高速缓冲存储器，支持快速数据交换；在测试仪器和测量设备中作为数据暂存器，提高测量响应速度。此外，该芯片还可用于嵌入式系统、医疗设备和汽车电子系统中，满足各种高性能存储需求。
IS61LV10248ALLB4-10TLI, CY62148EVLL
