GA1206A560FBCBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统效率并减少发热。此外,其封装形式经过优化,适合高密度电路板设计,同时保证了良好的散热性能。
该型号属于沟道型 MOSFET,具有出色的电气特性和可靠性,适用于工业级和消费级电子设备。
类型:N沟道 MOSFET
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
漏源电压(Vds):60V
栅极源极电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):56A(在25°C环境温度下)
功耗(Pd):180W(在壳温为25°C时)
栅极电荷(Qg):79nC(典型值)
开关时间:开启延迟时间 18ns,下降时间 15ns
工作结温范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247-3L
GA1206A560FBCBR31G 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效降低导通损耗,提升系统效率。
2. 高额定电流和电压能力,支持大功率应用。
3. 快速的开关速度,有助于减少开关损耗并提高高频操作性能。
4. 良好的热性能,确保在高温环境下稳定运行。
5. 紧凑的封装设计,适合空间受限的应用场景。
6. 出色的静电防护能力和可靠性,延长使用寿命。
7. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
该型号广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的逆变桥臂。
4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 消费类电子产品中的电源管理单元。
7. LED 驱动器中的高效功率调节组件。
8. 各种需要高效功率切换的场景。
IRFP2907ALPBF, FDP5600N60BL, STW13DM60