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A4491EESTR 发布时间 时间:2025/7/30 4:54:52 查看 阅读:26

A4491EESTR是由Allegro MicroSystems公司生产的一款高性能、双通道、低边MOSFET驱动器集成电路。该芯片专为汽车和工业应用设计,能够高效驱动N沟道MOSFET或IGBT器件,适用于电机控制、电源管理、H桥驱动等高功率应用场景。A4491EESTR采用16引脚TSSOP封装,具备高耐压、高电流驱动能力和良好的热稳定性,适合在复杂电磁环境下稳定工作。

参数

工作电压范围:4.5V至40V
  输出峰值电流:每通道最大1.2A
  导通延迟时间:典型值为60ns
  关断延迟时间:典型值为30ns
  工作温度范围:-40°C至150°C
  封装类型:16引脚TSSOP
  输入逻辑电平兼容:3.3V和5V逻辑控制器
  输出驱动类型:双通道低边MOSFET驱动器
  最大工作频率:可达1MHz

特性

A4491EESTR具有出色的性能和可靠性,适用于高要求的工业和汽车应用环境。其主要特性包括双通道独立驱动能力,能够同时驱动两个功率MOSFET器件,适用于半桥、H桥和同步整流等拓扑结构。芯片内部集成了欠压锁定(UVLO)功能,确保在供电电压不足时自动关闭输出,避免功率器件误动作。此外,A4491EESTR具备过温保护(OTP)功能,在芯片温度超过安全阈值时自动关闭,防止热损坏。
  该器件的输入信号采用施密特触发器设计,提高了抗噪声能力,确保在高电磁干扰(EMI)环境下仍能稳定运行。A4491EESTR还具备快速的导通和关断响应时间,减少了开关损耗,提高了整体系统效率。其高耐压能力使其适用于多种电压等级的电源系统,包括12V、24V和48V系统。
  在热管理方面,A4491EESTR采用优化的封装设计,提高了散热性能,使其在高负载条件下仍能保持良好的工作稳定性。该芯片的输入端口具有高阻抗特性,减少了对外部控制器的负载影响,同时支持宽范围的输入逻辑电平,兼容3.3V和5V微控制器。

应用

A4491EESTR广泛应用于需要高效驱动功率MOSFET的场合,如电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的电机控制系统、工业自动化设备、直流电机驱动器、电源转换器(如DC-DC转换器和AC-DC电源模块)、LED照明驱动电路以及H桥驱动拓扑结构。此外,该芯片也适用于机器人控制系统、电动工具、智能家电以及电池管理系统(BMS)中的功率开关控制。

替代型号

Si8235BB-C-IS, IRS2001PBF, TC4420CPA, MIC502-YN, ADuM4221-ARIZ

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