时间：2025/9/22 15:36:52
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MB8504-90PBT-SJD-ER是一款由Fujitsu（富士通）公司推出的FRAM（铁电随机存取存储器）芯片。该器件结合了传统RAM的高速读写能力与非易失性存储器的数据保持特性，能够在断电后依然保留存储信息，同时具备几乎无限次的读写耐久性。该型号属于富士通MB85系列FRAM产品线，广泛应用于需要高频写入、低功耗和高可靠性的工业控制、医疗设备、智能仪表和嵌入式系统中。MB8504-90PBT-SJD-ER采用先进的铁电存储技术，取代了传统EEPROM或SRAM加备份电池的方案，消除了写入延迟和寿命限制问题。该芯片封装形式为TSOP-I（Thin Small Outline Package），引脚数为44，便于在空间受限的应用中实现紧凑布局。工作电压范围通常为3.0V至3.6V，支持商业级或工业级温度范围，确保在复杂环境下的稳定运行。此外，该器件兼容标准的并行接口协议，能够无缝集成到现有微处理器或微控制器系统中，提升系统整体的响应速度与数据安全性。
型号：MB8504-90PBT-SJD-ER
制造商：Fujitsu
存储类型：FRAM（非易失性）
存储容量：4 Mbit (512 K × 8位)
接口类型：并行接口
工作电压：3.0V ~ 3.6V
最大访问时间：90 ns
封装形式：44-pin TSOP-I
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
写入耐久性：10^12 次/字节
数据保持时间：10年（典型值）
待机电流：≤ 15 μA
工作电流：≤ 15 mA
MB8504-90PBT-SJD-ER的核心技术基于铁电存储原理，使用锆钛酸铅（PZT）材料作为存储介质，通过极化方向的不同状态来表示逻辑“0”和“1”。这种物理机制使得该芯片无需像传统EEPROM那样进行擦除操作即可直接改写数据，从而实现了真正的高速随机写入能力，最短写入周期可达到纳秒级别。其90ns的访问时间显著优于同类非易失性存储器，极大提升了系统的实时响应性能。由于没有机械磨损或氧化层击穿等问题，该芯片的写入寿命高达10^12次，远超EEPROM的10万次和Flash的10万次极限，特别适用于频繁记录传感器数据、日志信息或配置参数的场景。
该器件具备出色的抗辐射能力和高可靠性，在电磁干扰较强的工业环境中仍能保持数据完整性。同时，其低功耗特性体现在多个方面：在待机模式下电流消耗低于15μA，有效降低了整体系统能耗，适合电池供电或绿色节能设计。此外，FRAM无需充电泵或高压编程机制，因此在写入过程中不会产生额外的电流尖峰，进一步增强了电源稳定性。
MB8504-90PBT-SJD-ER还支持全地址范围内的字节级写入操作，无需块擦除或页编程流程，简化了软件开发难度并减少了固件复杂度。芯片内置自动写保护功能，防止意外写入或数据篡改。其TSOP-I封装具有良好的散热性能和焊接可靠性，适用于自动化贴片生产线。整体设计符合RoHS环保标准，满足现代电子产品对环境友好型元器件的要求。
MB8504-90PBT-SJD-ER广泛应用于对数据写入频率高、可靠性要求严苛的领域。在工业自动化控制系统中，常用于保存PLC的运行参数、故障日志和工艺设定值，确保即使在突然断电情况下也不会丢失关键信息。在医疗设备如监护仪、血糖仪和便携式诊断装置中，该芯片可用于长期存储患者历史数据和设备校准信息，保障数据安全与合规性。智能电表、水表和燃气表等计量设备也大量采用此类FRAM芯片，用于记录用量数据和事件时间戳，避免因频繁写入导致的传统存储器寿命不足问题。
在汽车电子领域，该器件可用于车载黑匣子（Event Data Recorder）、ECU配置存储以及高级驾驶辅助系统（ADAS）中的临时数据缓存。此外，在通信基础设施设备如路由器、交换机和基站控制器中，MB8504-90PBT-SJD-ER可用于快速保存配置变更和操作日志，提高维护效率。POS终端、打印机、复印机等办公设备利用其高速写入能力，实现交易记录和文档缓存的即时保存。由于其宽温工作能力和高抗干扰性，该芯片也适用于航空航天、军事装备和野外监测设备等极端环境下的数据存储任务。
Rohm BU9054KV-E2
