容量：64Mbit (8MB)
　　组织结构：x8/x16
　　电压范围：2.7V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　封装尺寸：55mm x 44mm
　　接口：并行 NOR Flash 接口
　　访问时间：60ns
　　读取电流（最大）：15mA
　　待机电流（最大）：10μA

W583C0608H67 是一款高性能的并行 NOR Flash 存储器，具备多种特性，适用于嵌入式系统的代码存储和执行。其容量为 64Mbit（8MB），支持 x8 或 x16 数据总线宽度，为嵌入式设备提供了足够的空间用于存储固件或关键数据。该芯片采用 2.7V 至 3.6V 的宽电压设计，使其在多种供电环境下都能稳定工作，同时具备低功耗待机模式，适合电池供电或低功耗应用场景。
　　其 TSOP 封装形式不仅有助于减小 PCB 板的空间占用，还具备良好的热稳定性和机械可靠性，适用于工业级和汽车电子应用环境。该芯片的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，确保在恶劣环境条件下也能稳定运行。接口为标准的并行 NOR Flash 接口，支持与大多数嵌入式控制器和微处理器直接连接，简化了系统设计。
　　访问时间为 60ns，能够满足对代码执行速度有较高要求的应用场景。其读取电流最大为 15mA，在高性能运行时功耗控制良好。同时，待机电流最大仅为 10μA，极大地延长了设备的电池寿命。W583C0608H67 还支持多种软件写保护功能，能够有效防止误擦写和数据丢失，提升了系统的稳定性与安全性。

该芯片广泛应用于工业控制设备、车载电子系统、医疗设备、通信设备、智能家电以及消费类电子产品中，特别适用于需要在复杂环境下运行的代码存储和执行场景。其高可靠性、低功耗和宽温特性，使其成为嵌入式系统中理想的非易失性存储解决方案。

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　　 "W29GL064G-65E2",
　　 "M29W640GB5AN6E",
　　 "S29GL064S10TAI030"
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