时间：2025/5/21 11:42:58
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GA1206A470FBEBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，属于沟槽式 MOSFET 技术，主要应用于高效率电源转换、电机驱动以及 DC-DC 转换器等场景。该芯片具有低导通电阻、快速开关特性和高电流承载能力等特点，适用于工业、汽车和消费电子领域。
这款功率 MOSFET 采用先进的制造工艺，能够显著降低功耗并提升系统效率。其封装形式为 TO-263（DPAK），支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和提高可靠性。
型号：GA1206A470FBEBT31G
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：47A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷（Qg）：38nC（典型值）
反向恢复时间（trr）：95ns（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263（DPAK）
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，从而提升整体系统效率。
2. 快速开关特性，能够有效降低开关损耗，适合高频应用环境。
3. 高电流承载能力，支持高达 47A 的连续漏极电流。
4. 宽工作温度范围（-55°C 至 +175°C），适应各种恶劣的工作条件。
5. 先进的封装设计，提供卓越的散热性能，确保长期稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流电路。
2. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或步进电机。
3. 工业逆变器及不间断电源（UPS）系统。
4. DC-DC 转换器，用于电压调节和负载点供电。
5. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
6. 大功率 LED 驱动电路，实现高效调光控制。
IRLZ44N
FDP15N60
AOT292L
