IXSH25N100A 时间：2025/8/5 21:19:22 阅读：31

IXSH25N100A 是由 IXYS 公司生产的一款高电压、高电流能力的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源转换和高功率密度应用设计，如开关电源（SMPS）、电机控制、逆变器和 UPS 系统等。IXSH25N100A 采用 TO-247 封装，具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热性能，能够在高电压和高电流条件下稳定运行。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：1000 V
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　最大漏极电流（ID）：25 A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.42 Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散（PD）：200 W

特性

IXSH25N100A 的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压最大可达 1000 V，适用于高压应用环境。该器件的导通电阻较低，在额定电流下能够有效降低功率损耗，提高系统效率。
　　此外，IXSH25N100A 采用先进的平面技术制造，具备良好的热稳定性和可靠性，能够在高温条件下长时间运行。其 TO-247 封装设计提供了良好的散热性能，并便于安装在散热片上。
　　该 MOSFET 还具备较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行。此外，IXSH25N100A 的栅极驱动要求较低，兼容常见的驱动电路，便于集成到各种功率电子系统中。
　　为了确保安全运行，IXSH25N100A 的栅极-源极电压范围为 ±30 V，避免因过高的驱动电压导致器件损坏。同时，其最大漏极电流为 25 A，适用于中高功率级别的应用。功率耗散为 200 W，进一步增强了其在高负载条件下的稳定性。

应用

IXSH25N100A 主要用于高电压、高功率的电力电子系统中，如开关电源、高压直流电机控制器、光伏逆变器、不间断电源（UPS）和工业自动化设备中的功率控制模块。
　　此外，该器件还可用于电源转换器、电池管理系统（BMS）以及高压 LED 照明驱动电路等应用。由于其具备高耐压能力和良好的导通性能，IXSH25N100A 在需要高效能、高可靠性的工业和消费类电子产品中也具有广泛的应用前景。
　　在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中，IXSH25N100A 可作为主开关器件，实现高效的能量转换和稳定的运行性能。其优异的热管理和抗干扰能力也使其适用于高温和高湿度的恶劣工作环境。