时间：2025/6/5 21:55:33
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SI6968ADQ-T1-GE3 是一款由 Vishay 推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有极低的导通电阻和高开关速度，适合高频开关应用。其封装形式为 PowerPAK SO-8，能够提供出色的散热性能和紧凑的设计方案。
该器件广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：24A
导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷：48nC（典型值）
输入电容：2530pF（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：PowerPAK SO-8
SI6968ADQ-T1-GE3 的主要特点是其超低的导通电阻和高效率表现。得益于先进的 TrenchFET 技术，这款 MOSFET 在高频工作条件下能够显著降低传导损耗，并提高整体系统效率。
此外，该器件的高电流处理能力和宽温度范围使其非常适合在恶劣环境下运行的电路设计。同时，PowerPAK SO-8 封装具备卓越的热性能，可有效将热量散发到 PCB 上，从而提升长期可靠性。
它的快速开关特性和低栅极电荷使得 SI6968ADQ-T1-GE3 成为高频转换应用的理想选择，比如同步整流、多相 VRM 和 POL 转换器等场景。
该芯片的主要应用领域包括但不限于以下：
1. 笔记本电脑和台式机中的 DC-DC 转换器
2. 多相 VRM 和 POL 转换器
3. 电信和网络系统的负载开关
4. 电池供电设备中的高效电源管理
5. 各种电机驱动和保护电路
6. 高效节能的 LED 驱动器
由于其高性能和灵活性，SI6968ADQ-T1-GE3 可以满足多种复杂应用需求。
SI6967ADQ-T1-GE3, SI6969ADQ-T1-GE3
