GA1206A3R9BXCBC31G 是一款高性能的贴片式钽电容器,主要应用于需要高稳定性和低等效串联电阻(ESR)的电路中。该电容器采用固态锰 dioxide 作为电解质,具有良好的频率特性和温度特性,适用于电源滤波、信号耦合和去耦等场景。
这种型号的钽电容器以其小体积、大容量的特点,在消费电子、通信设备、计算机以及工业控制领域得到广泛应用。
容量:6.8μF
额定电压:35V
封装类型:SMD
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
耐纹波电流能力:45mA(100kHz,20°C)
等效串联电阻(ESR):0.3Ω(典型值)
尺寸:3.2mm x 1.6mm x 1.9mm (长x宽x高)
公差:±20%
GA1206A3R9BXCBC31G 的主要特性包括:
1. 高可靠性和长寿命,适合在恶劣环境下使用。
2. 小型化设计,便于在紧凑型PCB布局中使用。
3. 稳定的电气性能,能够在较宽的温度范围内保持一致的容量。
4. 具有较低的ESR值,从而提升高频下的性能表现。
5. 符合RoHS标准,环保且无铅。
6. 良好的抗浪涌能力,确保在突然加载时不会损坏元件本身。
7. 优异的自愈特性,即使出现短路或过压情况也能快速恢复功能。
此型号钽电容器广泛用于以下应用场景:
1. 数字电路中的电源去耦,以减少高频噪声对系统的影响。
2. 模拟电路中的信号耦合与隔直作用。
3. 开关电源输出端的平滑处理。
4. RF射频电路中的滤波器组件。
5. 计算机主板、显卡和其他高速数据传输设备中的关键节点去耦。
6. 工业自动化控制系统中的精密调节回路。
7. 汽车电子模块中的稳压及滤波任务。
AVX TPS6C406M035RN, KEMET T491A685K035AS