时间：2025/7/12 0:46:55
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202R18N101JV4E 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频、高效率应用设计。该器件采用先进的封装工艺，具备低导通电阻和快速开关性能，适用于电源管理、DC-DC转换器及射频放大器等场景。
其核心特点是能够显著提升系统的功率密度并降低能量损耗，同时支持更高的工作频率，从而缩小整体解决方案的尺寸。
型号：202R18N101JV4E
类型：增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET)
额定电压：100V
额定电流：18A
导通电阻：2.0mΩ（典型值）
栅极电荷：3.5nC（典型值）
输入电容：700pF（典型值）
最大功耗：36W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：LLP8x8
202R18N101JV4E 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，支持MHz级别的开关频率，适合高频应用。
3. 高效的热管理设计，确保在高功率条件下保持稳定运行。
4. 内置ESD保护功能，增强器件可靠性。
5. 小巧的封装尺寸（LLP8x8），有助于节省PCB空间。
6. 与传统硅MOSFET相比，具有更低的栅极电荷和输出电荷，优化动态性能。
这些特性使该器件非常适合需要高性能和高效率的现代电子设备。
202R18N101JV4E 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和AC-DC适配器。
2. DC-DC转换器，特别是半桥和全桥拓扑结构。
3. 图形处理器（GPU）和中央处理器（CPU）供电模块。
4. 电动工具和无人机中的电机驱动电路。
5. 快速充电器和无线充电设备。
6. 射频功率放大器和通信基础设施中的相关应用。
凭借其出色的性能指标，这款器件能够在各种复杂环境下提供可靠的服务。
202R18N080JV4E, GAN018-100WSB, EPC2020
