GA1206A3R9BBEBT31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,主要用于开关和功率转换应用。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。它广泛应用于各种电子设备中,包括电源适配器、LED 驱动器和电机控制器等。
该型号中的具体参数可以通过其编码解析得出:'GA' 表示产品系列,'1206' 指定封装类型(1206 尺寸),'A3R9' 标识特定的电气参数等级,后续编码则表示批次和其他制造信息。
类型:MOSFET
封装:1206
耐压:60V
电流:30A
导通电阻:3.5mΩ
栅极电荷:30nC
功耗:180W
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
GA1206A3R9BBEBT31G 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(3.5mΩ),有助于降低功率损耗并提高效率。
2. 快速开关能力,适合高频应用环境。
3. 强大的过流能力和出色的热稳定性,确保在高负载条件下可靠运行。
4. 宽工作温度范围(-55℃ 至 175℃),适应多种恶劣环境条件。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
这些特性使 GA1206A3R9BBEBT31G 成为众多功率管理应用的理想选择。
GA1206A3R9BBEBT31G 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器。
2. LED 照明驱动电路。
3. 电机驱动和控制模块。
4. 工业自动化设备中的功率管理部分。
5. 消费类电子产品中的电池充电管理系统。
由于其高性能和可靠性,该器件特别适用于需要高效功率转换和低热耗散的应用场景。
GA1206A3R9BBEBT21G
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