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GA1206A3R9BBEBT31G 发布时间 时间:2025/5/26 14:18:43 查看 阅读:11

GA1206A3R9BBEBT31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,主要用于开关和功率转换应用。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。它广泛应用于各种电子设备中,包括电源适配器、LED 驱动器和电机控制器等。
  该型号中的具体参数可以通过其编码解析得出:'GA' 表示产品系列,'1206' 指定封装类型(1206 尺寸),'A3R9' 标识特定的电气参数等级,后续编码则表示批次和其他制造信息。

参数

类型:MOSFET
  封装:1206
  耐压:60V
  电流:30A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:30nC
  功耗:180W
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

GA1206A3R9BBEBT31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(3.5mΩ),有助于降低功率损耗并提高效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 强大的过流能力和出色的热稳定性,确保在高负载条件下可靠运行。
  4. 宽工作温度范围(-55℃ 至 175℃),适应多种恶劣环境条件。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  这些特性使 GA1206A3R9BBEBT31G 成为众多功率管理应用的理想选择。

应用

GA1206A3R9BBEBT31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器。
  2. LED 照明驱动电路。
  3. 电机驱动和控制模块。
  4. 工业自动化设备中的功率管理部分。
  5. 消费类电子产品中的电池充电管理系统。
  由于其高性能和可靠性,该器件特别适用于需要高效功率转换和低热耗散的应用场景。

替代型号

GA1206A3R9BBEBT21G
  GA1206A3R9BBEBT41G

GA1206A3R9BBEBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容3.9 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-