时间：2025/5/8 12:22:15
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RHU002N06T106 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，采用小型化封装设计，适合于高频开关应用。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等场景。
型号：RHU002N06T106
类型：N沟道MOSFET
封装：SOT-23
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
最大漏极电流Id：2A（脉冲）
导通电阻Rds(on)：2.4Ω（在Vgs=10V时）
总功耗Ptot：420mW
工作温度范围：-55℃至+150℃
RHU002N06T106 具有非常低的导通电阻 Rds(on)，从而减少传导损耗并提高效率。其小尺寸 SOT-23 封装非常适合空间受限的设计环境。
此外，该器件支持高达 60V 的漏源电压，并且具备良好的热稳定性，在高温条件下也能保持稳定的性能表现。
MOSFET 的快速开关特性使其成为便携式电子设备、通信电源及工业控制系统的理想选择。
RHU002N06T106 广泛应用于多种领域，包括但不限于：
- 开关模式电源(SMPS)中的功率转换电路
- 移动设备充电保护模块
- 笔记本电脑适配器中的同步整流
- 工业自动化中的负载开关控制
- LED 驱动电路
- 小型电机驱动与保护电路
