P2804BVG 时间：2025/6/20 14:21:48 阅读：4

P2804BVG是一种功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该器件采用TO-220封装形式，具有低导通电阻和高电流承受能力的特点，适合在高压高频的环境下使用。
　　这种功率MOSFET属于N沟道增强型场效应晶体管，其主要功能是作为电子开关或放大元件，在电路中实现高效能量转换与信号控制。

参数

最大漏源电压：400V
　　最大栅源电压：±20V
　　最大连续漏极电流：10A
　　最大脉冲漏极电流：50A
　　导通电阻：0.6Ω
　　总功耗：130W
　　工作结温范围：-55℃至+175℃

特性

P2804BVG具备较高的电气性能和可靠性，以下是其主要特性：
　　1. 高耐压能力，能够承受高达400V的漏源电压，适用于多种高压应用环境。
　　2. 极低的导通电阻（0.6Ω），有助于减少传导损耗并提高整体效率。
　　3. 快速开关速度，可有效降低开关损耗，特别适合高频应用。
　　4. 内置ESD保护机制，提升了器件的抗静电能力。
　　5. 大电流处理能力，最高支持10A连续漏极电流以及50A的短时脉冲电流。
　　6. 广泛的工作温度范围（-55℃至+175℃），适应极端气候条件下的使用需求。

应用

P2804BVG的应用领域非常广泛，包括但不限于以下方面：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
　　2. DC-DC转换器中的主控MOSFET或同步整流MOSFET。
　　3. 电机驱动电路中的功率输出级元件。
　　4. 电池保护电路中的过流保护开关。
　　5. 各种工业控制设备中的功率调节模块。
　　6. 照明系统中的调光控制器或负载切换元件。