GA1206A3R3BXEBP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
其封装形式为业界标准的表面贴装类型,适合大规模自动化生产,并且具有良好的电气特性和可靠性。
型号:GA1206A3R3BXEBP31G
类型:功率 MOSFET
极性:N沟道
最大漏源电压(Vds):120V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):6.4A
导通电阻(Rds(on)):35mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
总功耗:27W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装:TO-252 (DPAK)
GA1206A3R3R3BXEBP31G 的主要特性包括以下几点:
1. 低导通电阻设计,有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 快速开关能力,适用于高频开关应用。
3. 高浪涌电流能力,能够承受瞬态大电流冲击。
4. 出色的热稳定性,确保在高温环境下可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
6. 小型化封装设计,节省电路板空间,适合紧凑型设计。
7. 内置 ESD 保护功能,提升整体系统可靠性。
8. 支持多种应用需求,如负载开关、同步整流和逆变器等。
GA1206A3R3BXEBP31G 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),用于实现高效的电能转换。
2. 电机驱动电路,控制直流或无刷电机的速度和方向。
3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
4. 汽车电子系统,例如电池管理系统(BMS)和车载充电器。
5. 消费类电子产品中的适配器和充电器。
6. LED 照明驱动器,提供稳定的电流输出以保证亮度一致性。
7. 其他需要高效功率切换的应用场景。
GA1206A3R3BXEBP31H, IRFZ44N, FDP5580