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GA1206A3R3BXABP31G 发布时间 时间:2025/6/3 22:08:57 查看 阅读:8

GA1206A3R3BXABP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等领域。该芯片采用了先进的沟槽式结构设计,能够显著降低导通电阻,并提高效率与散热性能。
  其封装形式为紧凑型表面贴装器件,适合高密度电路板设计。同时,它具备出色的耐热特性和可靠的电气性能,在多种工业及消费类电子设备中得到了广泛应用。

参数

型号:GA1206A3R3BXABP31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):15A
  导通电阻(Rds(on)):3mΩ (典型值)
  总栅极电荷(Qg):45nC
  输入电容(Ciss):2280pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-Leadless (TOLL)

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少传导损耗并提升系统效率。
  2. 高雪崩能量能力,确保在异常条件下仍能稳定运行。
  3. 快速开关速度,有助于降低开关损耗。
  4. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  5. 先进的制造工艺保证了产品具有更高的可靠性和一致性。
  6. 支持高频应用,适用于多种功率转换场景。
  7. 良好的热性能设计,即使在高温环境下也能保持优异表现。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级控制。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流功能。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 汽车电子系统中的电池管理与保护。
  6. LED 照明系统的恒流驱动。
  7. 通信电源和其他需要高效功率转换的应用领域。

替代型号

GA1206A3R3BZA, IRF540N, FDP5500, AO3400

GA1206A3R3BXABP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容3.3 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-