时间：2025/6/3 22:08:57
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GA1206A3R3BXABP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等领域。该芯片采用了先进的沟槽式结构设计，能够显著降低导通电阻，并提高效率与散热性能。
其封装形式为紧凑型表面贴装器件，适合高密度电路板设计。同时，它具备出色的耐热特性和可靠的电气性能，在多种工业及消费类电子设备中得到了广泛应用。
型号：GA1206A3R3BXABP31G
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：3mΩ (典型值)
总栅极电荷(Qg)：45nC
输入电容(Ciss)：2280pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-Leadless (TOLL)
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少传导损耗并提升系统效率。
2. 高雪崩能量能力，确保在异常条件下仍能稳定运行。
3. 快速开关速度，有助于降低开关损耗。
4. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
5. 先进的制造工艺保证了产品具有更高的可靠性和一致性。
6. 支持高频应用，适用于多种功率转换场景。
7. 良好的热性能设计，即使在高温环境下也能保持优异表现。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级控制。
2. DC-DC 转换器中的同步整流功能。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统中的电池管理与保护。
6. LED 照明系统的恒流驱动。
7. 通信电源和其他需要高效功率转换的应用领域。
GA1206A3R3BZA, IRF540N, FDP5500, AO3400
