时间：2025/5/7 21:15:38
阅读：6
FQD6N60CS是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于各种开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用领域。它能在高达600V的漏源电压下工作，同时具备出色的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压(Vds)：600V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
漏极电流(Id)：6A
导通电阻(Rds(on))：3.5Ω
总功耗(Ptot)：1.3W
结温范围(Tj)：-55℃ to 150℃
封装形式：TO-252
FQD6N60CS具有高击穿电压和低导通电阻的特点，从而可以减少导通损耗并提高整体效率。
该器件还拥有快速开关能力，能够适应高频开关应用的需求。
其内置的雪崩能量处理能力增强了在异常条件下的鲁棒性。
FQD6N60CS通过优化设计，确保了良好的散热性能，使其能够在较宽的温度范围内可靠运行。
此外，该器件符合RoHS标准，满足环保要求。
FQD6N60CS广泛应用于各类需要高效能开关的场景，包括但不限于开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动、逆变器以及负载开关等领域。
由于其高耐压和低导通电阻特性，这款MOSFET特别适合用于工业控制设备、家用电器以及汽车电子系统中。
IRF640N
STP6NK60Z
FDP6N60
IXFN60N60P
