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S2000AF 发布时间 时间:2025/7/22 15:35:54 查看 阅读:8

S2000AF是一款由Silicon Labs推出的高性能射频(RF)频率合成器芯片,广泛用于无线通信系统中,例如Wi-Fi、蓝牙、ZigBee以及其他低功耗无线应用。该芯片基于分数分频锁相环(Fractional-N PLL)技术,提供高精度和灵活的频率生成能力。S2000AF支持宽频率范围,可满足多种无线标准的需求,并具有优异的相位噪声性能和低功耗特性。

参数

工作频率范围:10 MHz至2.2 GHz
  参考频率输入:10 MHz至40 MHz
  相位噪声(典型值):-155 dBc/Hz @ 1 kHz偏移
  频率分辨率:小于1 Hz
  工作电压:2.7V至3.6V
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装类型:20引脚SSOP
  输出频率精度:±10 ppm
  锁定时间:< 100 μs

特性

S2000AF采用高性能的Fractional-N PLL架构,允许用户以极高的频率分辨率生成所需的射频信号,同时减少了外部环路滤波器的复杂性。该芯片内置可编程的分频器和电荷泵,支持多种频率合成方案,从而提高了系统设计的灵活性。S2000AF还集成了低噪声的鉴相器(PFD),有助于降低整体相位噪声并提高信号质量。此外,芯片支持快速的频率切换,适用于需要动态频率调整的应用场景。
  S2000AF的功耗设计非常优化,适用于电池供电设备和低功耗系统。其高集成度减少了外围元件的数量,降低了设计难度并节省了PCB空间。芯片还具备良好的温度稳定性和抗干扰能力,适用于工业级和消费级应用环境。通过简单的三线串行接口(SCLK、SDATA、LE),用户可以方便地对芯片进行配置和控制。

应用

S2000AF广泛应用于各种无线通信设备中,如Wi-Fi接入点、蓝牙模块、ZigBee收发器、无线传感器网络节点、无线音频设备和远程控制系统。此外,它也适用于测试设备、频率源模块和工业控制系统的射频信号发生器。

替代型号

Si4133, ADF4351, LMX2485E, TRF3711

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S2000AF参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)8A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)700V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)5V @ 1A,4.5A
  • 电流 - 集电极截止(最大)200µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)4.5 @ 4.5A,5V
  • 功率 - 最大50W
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳ISOWATT218FX
  • 供应商设备封装ISOWATT-218FX
  • 包装管件