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GA1206A391GXEBT31G 发布时间 时间:2025/5/28 21:06:59 查看 阅读:15

GA1206A391GXEBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。它能够承受较高的电压和电流,适合在高功率密度的应用场景中使用。
  这款芯片的设计旨在优化能耗表现,同时提供出色的可靠性和稳定性。其封装形式紧凑,有助于节省电路板空间,非常适合对体积有严格要求的电子设备。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻:0.045Ω
  栅极电荷:65nC
  功耗:280W
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

GA1206A391GXEBT31G具备低导通电阻特性,可显著降低导通损耗,从而提高整体系统效率。
  其高耐压能力使其适用于多种高压环境,而快速开关速度则确保了高频应用中的卓越表现。
  此外,该器件采用了高效的散热设计,能够在高功率条件下保持稳定运行。内置的静电防护机制进一步提升了其在复杂电磁环境下的可靠性。
  由于其出色的电气性能和可靠性,该芯片被广泛应用于工业控制、消费类电子产品以及通信设备等领域。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):用于高效能量转换。
  2. 电机驱动:为各种类型的电机提供精确的电流控制。
  3. DC-DC转换器:实现不同电压等级之间的转换。
  4. 逆变器:用于太阳能发电系统和其他电力转换场合。
  5. 工业自动化:支持复杂的工业控制系统。
  6. 消费类电子产品:如笔记本电脑适配器、电视电源等。

替代型号

IRFP460,
  FQP18N65C,
  STP16NM65WF,
  IXYS IXFN16N65T2

GA1206A391GXEBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容390 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-