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GA1206A331FBABR31G 发布时间 时间:2025/6/6 12:12:51 查看 阅读:16

GA1206A331FBABR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于电源管理、电机驱动和开关电路等应用。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效提升系统的效率和可靠性。
  该器件为 N 沟道增强型 MOSFET,具有出色的热稳定性和电气性能,适用于多种工业和消费电子领域。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:33A
  导通电阻:3.1mΩ
  栅极电荷:85nC
  开关时间:开启时间 15ns,关断时间 25ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206A331FBABR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低功耗并提高效率。
  2. 快速的开关速度,适合高频应用环境。
  3. 高度稳定的电气性能,在宽温范围内保持一致的工作状态。
  4. 内置静电保护功能,增强器件的抗干扰能力。
  5. 小型化的封装设计,节省 PCB 布局空间,便于系统集成。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动电路。
  3. 汽车电子系统中的负载切换和电源管理模块。
  4. 高效节能的 LED 驱动电路。
  5. 各类保护电路,如过流保护和短路保护。
  6. 其他需要高性能功率开关的应用场景。

替代型号

IRF3710, FDP157N06L, STP33NF06L

GA1206A331FBABR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容330 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-