IXTQ250N075T 时间：2024/9/13 10:19:02 阅读：147

技术参数

类别：分离式半导体产品
　　家庭：MOSFET，GaNFET-单
　　系列：TrenchMV?
　　FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
　　FET特点：标准型
　　开态Rds（最大） Id,Vgs 25°C：4毫欧 50A,10V
　　漏极至源极电压(Vdss)：75V
　　电流-连续漏极(Id) 25°C：250A
　　Id时的Vgs(th)（最大）：4V 250μA
　　闸电荷(Qg) Vgs：200nC 10V
　　在Vds时的输入电容(Ciss)：9900pF 25V
　　功率-最大：550W

封装参数

安装类型：通孔
　　封装/外壳：TO-3P
　　包装：管件

物理参数

工作温度-55℃~175℃(TJ)

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IXTQ250N075T
深圳市奥利腾科技有限公司
20000
IXYS
22+/TO3P

IXTQ250N075T
深圳市郓州科技有限公司
6500
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

IXTQ250N075T
柒号芯城电子商务(深圳)有限公
8000
IXYS
2024+/TO3P

IXTQ250N075T
深圳市佳微科技有限公司
9000
Maxim Integrated
23+/-

IXTQ250N075T
深圳市祥润达电子有限公司
18000
IXYS
2023+/TO3P

IXTQ250N075T
深圳市跃创芯科技有限公司
30000
IXYS/艾赛斯
2022+/TO3P

IXTQ250N075T
深圳市安富世纪电子有限公司
6000
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

IXTQ250N075T
得捷（深圳）商贸有限公司
6000
IXYS/艾赛斯
22+/TO3P

IXTQ250N075T
深圳市创芯联盈电子有限公司
6800
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

IXTQ250N075T
中扬电子（深圳）有限公司
6500
IXYS/艾赛斯
21+/TO3P

IXTQ250N075T
深圳市金嘉锐电子有限公司
9860
IXYS
24+/TO3P

IXTQ250N075T
深圳市怡兴业电子科技有限公司
6500
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

IXTQ250N075T
深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
4500
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

IXTQ250N075T
深圳市腾桩电子有限公司
6800
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

IXTQ250N075T
深圳市港禾科技有限公司
50000
IXYS/艾赛斯
2022+/TO3P

IXTQ250N075T
深圳市科鑫美电子有限公司
6500
IXYS/艾赛斯
21+/TO3P

IXTQ250N075T
深圳市河锋鑫科技有限公司
9000
IXYS
2023+/TO3P3 SC653

IXTQ250N075T
深圳市华睿芯科技有限公司
20000
IRF
2023+/TO220AB

IXTQ250N075T
深圳市昴泽电子有限公司
9811
22+/

IXTQ250N075T
深圳市集好芯城科技有限公司
16500
IXYS/艾赛斯
22+/TO3P

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IXTQ250N075T参数

标准包装30
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchMV™
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C250A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C4 毫欧 @ 50A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs200nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds9900pF @ 25V
功率 - 最大550W
安装类型通孔
封装/外壳TO-3P-3，SC-65-3
供应商设备封装TO-3P
包装管件