时间：2025/5/21 11:37:49
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GA1206A2R2CXCBP31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该器件采用了先进的沟槽式结构和封装技术，能够提供低导通电阻和高效率的工作性能。同时，其出色的热特性和电气特性使其在高功率密度应用中表现优异。
这款MOSFET芯片具有极低的导通电阻和快速开关速度，可以显著降低功率损耗并提高系统整体效率。此外，它还具备良好的抗电磁干扰能力以及过温保护功能，确保了在各种复杂工况下的稳定运行。
型号：GA1206A2R2CXCBP31G
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：12A
脉冲漏极电流(Ip)：36A
导通电阻(Rds(on))：2.2mΩ(典型值，Vgs=10V)
输入电容(Ciss)：2080pF
输出电容(Coss)：97pF
反向恢复时间(trr)：45ns
工作结温范围(Tj)：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247-3
GA1206A2R2CXCBP31G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，仅为2.2mΩ，从而减少了导通损耗，提升了整体效率。
2. 快速开关速度，能够有效减少开关损耗，并支持高频应用。
3. 高额定漏源电压（650V），适合高压环境的应用需求。
4. 采用先进工艺制造，具备较高的可靠性和稳定性，能够在极端温度范围内正常工作。
5. 内置ESD保护电路，增强了器件的抗静电能力。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
7. 优秀的散热性能，适合大功率密度应用场景。
该款MOSFET适用于多种电力电子设备，具体包括：
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统。
4. 工业控制设备中的负载切换和调节。
5. 电动车和混合动力车的动力系统组件。
6. 不间断电源(UPS)及其他备用电源解决方案。
7. LED照明驱动电路。
IRFP250N, FQA12N65C, STW45N65DM2
