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AO3420L 发布时间 时间:2025/4/29 11:43:43 查看 阅读:23

AO3420L是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Alpha and Omega Semiconductor公司生产。该器件采用超小型DFN2020-6封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于空间受限的应用场景。AO3420L常被用作功率开关,在消费电子、通信设备以及计算机外设等领域中表现优异。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:1.9A
  导通电阻:75mΩ
  栅极电荷:3nC
  工作温度范围:-55°C 至 150°C

特性

AO3420L的主要特性包括低导通电阻以减少功率损耗,紧凑的封装形式使其非常适合便携式设备。此外,它具备快速开关能力,能够有效降低开关损耗。
  该器件还拥有良好的热稳定性,在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。由于其高效率和小尺寸,AO3420L成为电池供电系统中的理想选择。

应用

AO3420L广泛应用于多种领域,如负载开关、同步整流、DC-DC转换器、电源管理模块等。在消费类电子产品中,它可用于智能手机和平板电脑中的电源管理电路;在计算机领域,适用于USB接口保护及硬盘驱动器供电控制。
  此外,AO3420L也常见于LED驱动器设计中,提供高效且可靠的功率切换解决方案。

替代型号

AO3400A
  IRLML2502
  SI2302DS

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AO3420L参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)24 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)12.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)630 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.4W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳3-SMD,SOT-23-3 变式